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三星电子拟在平泽投建NAND闪存生产线


三星电子1日表示公司将投入8亿韩元在京畿道平泽工业园区投建尖端NAND内存生产线

这是三星电子继上月21发布在该园区投建专司极紫外光EUV微影光刻技术的晶圆代工生产线计划后时隔10天再次发布投资计划虽然三星方面未公开具体投资金额业界推测上述晶圆代工生产线和NAND闪存生产线的投资规模分别达10亿韩元和8亿韩元

三星电子已着手EUV圆代工生产和NAND内存生产所需的洁净室建设争取在明年下半年投产5纳米EUV芯片和V-NAND产品届时泽工业园区将成为覆盖储存芯片和系统芯片的尖端半导体复合生产基地

三星电子表示此次投资旨在应对随人工智能联网等第四次工业革命以及5G普及而来的NAND需求分析认为在新冠疫情重创全球经济的情况下三星电子近期接连发表投资计划反映出欲在全球内存市场继续拉大优势的决心

韩联社
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